[发明专利]一种In1-xGaxP（0≤x≤1）/Substrate 薄膜材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种制备In1-xGaxP（0≤x≤1）/Substrate薄膜材料的方法，以In2O3，Ga2O3，P2O5以及还原萃取剂为原料，加入与固体原料质量50%～100%相当的无水乙醇，用10～15MPa的压力将其压成厚度为1～10mm的片材，然后将其放置于反应器刚玉坩埚中，用高纯氮气抽真空，置换到氧气浓度为ppm级，然后再用混合气体抽真空置换1～2次，抽真空至7～13Pa，控制升温速度在5～10℃/min范围内，反应区加热升温,沉积区加热升温，恒温3～4h，其间保持真空度不小于-0.08MPa；当反应区温度达到预定温度后，自然降温至室温，充入混合气体至常压后，即得到所需薄膜；本发明原料简单，价廉易得，且均为固体或无毒气体，对环境无污染，对操作人员无安全威胁。

主权项

一种制备In1‑xGaxP（0≤x≤1）/Substrate薄膜材料的方法，其特征在于：以In2O3，Ga2O3，P2O5以及还原萃取剂为原料，加入与固体原料质量50%~100%相当的无水乙醇，研磨均匀后，用10~15MPa的压力将其压成厚度为1~10mm的片材，然后将其放置于反应器刚玉坩埚中，用高纯氮气抽真空，置换到氧气浓度为ppm级，然后再用混合气体抽真空置换1~2次，抽真空至7~13Pa，控制升温速度在5~10℃/min范围内，反应区加热升温至1200℃~1250℃范围内,沉积区加热升温至600℃~800℃范围内，恒温3~4h，其间保持真空度不小于‑0.08MPa；当反应区温度达到预定温度后，自然降温至室温，充入混合气体至常压后，即得到灰黑色的In1‑xGaxP（0≤x≤1）/Substrate薄膜；所述的Substrate为：Si、Ge、导电玻璃、不锈钢、导电陶瓷中的一种。