[发明专利]基于铝镓氮材料的日盲型紫外光电阴极的外延生长方法有效
| 申请号： | 201210545363.4 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103031596A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 李亮;罗伟科 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/38;H01J9/12 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于铝镓氮材料的日盲型紫外光电阴极的外延生长方法，该方法是采用P型掺杂的铝镓氮材料作为阴极发射材料。由本方法所获得的基于铝镓氮材料的紫外光电阴极能够实现日盲探测，从而简化了紫外探测器的制备工艺，节约了制造成本，提高了器件稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 铝镓氮 材料 日盲型 紫外 光电 阴极 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种基于铝镓氮材料的日盲型紫外光电阴极的外延生长方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将衬底放入金属有机物化学气象沉积系统中，并在高温高压下加热烘烤3～5min，清洁衬底表面；（2）然后在1000～1050℃下，反应室压力为300～500torr，通入氨气，并进行氮化反应1～3min；（3）降低温度至550～600℃，压力为100～150torr，并继续通入氨气，同时通入三甲基铝，在衬底上外延生长低温氮化铝成核层；（4）保持压力为100～150torr，并升温至1150～1200℃，继续通入氨气，同时通入三甲基铝，在成核层上外延生长高温氮化铝缓冲层；（5）保持温度为1150～1200℃，压力为100～150torr，继续通入氨气和三甲基铝，同时通入三甲基镓和二茂镁，在缓冲层上外延生在高温镁掺杂铝镓氮光电发射层；其中，步骤（1）～（5）中均通入氢气作为载气；（6）镁掺杂铝镓氮光电发射层生长结束后，切换载气为氮气，并降低温度至850～900℃，对镁杂质进行退火激活35～45min，从而获得P型铝镓氮光电发射层。
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