[发明专利]一种提高PEDOT:PSS薄膜物理性能的方法有效
| 申请号： | 201210540191.1 | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103022362A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 邢英杰;钱旻昉 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;C23C14/12;C23C14/58;B05D3/02;B05D3/06 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高有机高分子聚合物PEDOT:PSS的物理性能的方法，通过在基底上附着一层PEDOT:PSS薄膜，将沾附有机高分子聚合物PEDOT:PSS薄膜的基底置于真空度至少为3×10-4Pa的真空腔室中，用紫外线持续照射有机高分子聚合物PEDOT:PSS薄膜至少21h，经测量，有机高分子聚合物PEDOT:PSS的功函数及导电性均得到提高，该导电聚合物PEDOT:PSS将会在二极管和其他一些器件的设计中得到更多的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 pedot pss 薄膜 物理性能 方法 | ||
【主权项】：
一种提高PEDOT:PSS薄膜物理性能的方法，其包括以下步骤：1)在基底上附着一层PEDOT:PSS薄膜；2)烘烤沾有PEDOT:PSS薄膜的基底；3)将烘烤后的基底置于真空腔室中；4)用紫外线照射持续照射基底上的PEDOT:PSS薄膜。
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