[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜电池透明导电层结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种铜铟镓硒薄膜电池透明导电层及其制造方法，属于光电材料新能源技术领域。该铜铟镓硒薄膜电池包括上电极（Ni/Al），透明导电层（ZnO：Al），窗口层（ZnO）,缓冲层（CdS），吸收层（P型CuInGaSe2），背电极（Mo）和衬底（玻璃/不锈钢等）。其透明导电层具有“类金字塔”表面陷光结构，为含Al掺杂ZnO薄膜。本发明所提供的“类金字塔”表面陷光结构，可增大光吸收的表面积，能有效地降低反射率，从而降低光学损失并提高电池转化效率。

主权项

一种铜铟镓硒薄膜电池透明导电层结构，包括铜铟镓硒透明导电层，其特征在于：所述导电层具有表面陷光结构，该表面陷光结构为类金字塔形。