[发明专利]一种高纯度羟基乙酸晶体的制备方法无效
| 申请号： | 201210526850.6 | 申请日： | 2012-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102964240A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 赖崇伟;李荣;刘旋;蒋贵仲 | 申请（专利权）人： | 西南化工研究设计院有限公司 |
| 主分类号： | C07C59/06 | 分类号： | C07C59/06;C07C51/42 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 吴彦峰 |
| 地址： | 610225 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯度羟基乙酸晶体的制备方法，包括以下步骤：（1）以70%或70%以下的羟基乙酸水溶液为原料，先将原料羟基乙酸水溶液在低温高真空条件下浓缩至70%或70%以上；（2）将浓缩后的羟基乙酸水溶液缓慢降温结晶，确保低温下及时过滤得到晶体粗品；（3）用适当的有机溶剂反复洗涤晶体粗品，除去晶体中少量羟基乙酸低聚合物，再将晶体低温干燥得到高纯度的晶体。本发明所述工艺可以对现有各种羟基乙酸工艺的水溶液产品进行处理，羟基乙酸水溶液浓度要求不高，70%以下的溶液都可以通过浓缩达到70%以上，便于结晶；结晶经过处理后纯度高，收率较高，便于提高产品附加值；该工艺简单，无污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纯度 羟基 乙酸 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯度羟基乙酸晶体的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）以70%或70%以下的羟基乙酸水溶液为原料，先将原料羟基乙酸水溶液在低温高真空条件下浓缩至70%或70%以上；（2）将浓缩后的羟基乙酸水溶液缓慢降温结晶，确保低温下及时过滤得到晶体粗品；（3）用适当的有机溶剂反复洗涤晶体粗品，除去晶体中少量羟基乙酸低聚合物，再将晶体低温干燥得到高纯度的晶体。
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