[发明专利]具有接触插栓的半导体结构与其形成方法有效
| 申请号： | 201210517708.5 | 申请日： | 2012-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103855077B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 洪庆文;黄志森;曹博昭;陈界得 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有接触插栓的半导体结构及其形成方法，其半导体结构包含一基底、一晶体管、一第一内层介电层、一第二内层介电层、一第一接触插栓、一第二接触插栓以及一第三接触插栓。晶体管设置在基底上，且包含一栅极以及一源极/漏极区。第一内层介电层设置在晶体管上。第一接触插栓设置在第一内层介电层中，且其顶面高于该栅极的一顶面。第二内层介电层设置于第一内层介电层上。第二接触插栓于第二内层介电层中以电连接该第一接触插栓。第三接触插栓设于第一内层介电层以及第二内层介电层中以电连接栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 接触插栓 介电层 第一内层 第二内层 半导体结构 晶体管 电连接 顶面 基底 源极/漏极区 | ||
【主权项】：
1.一种形成具有接触插栓的半导体结构的方法，包含：提供一基底；形成一晶体管于该基底上，该晶体管包含一栅极以及一源极/漏极区；形成一第一内层介电层于该晶体管上，其中所述第一内层介电层的一底面与所述晶体管的栅极的顶面切齐，且所述第一内层介电层为一单层结构；形成一第一接触插栓于该第一内层介电层中，该第一接触插栓电连接该源极/漏极区，且该第一接触插栓的顶面高于该栅极的一顶面；形成一第二内层介电层于该第一内层介电层上；以及形成一第二接触插栓于该第二内层介电层中以电连接该第一接触插栓，与形成一第三接触插栓于该第一内层介电层以及该第二内层介电层中以电连接该栅极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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