[发明专利]一种聚噻吩纳米导电复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201210515945.8 | 申请日： | 2012-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN102993646A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 姚超;左士祥;陈群;刘文杰;纪俊玲;孔泳;罗士平;王茂华 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | C08L65/00 | 分类号： | C08L65/00;C08G61/12;C08K7/26;C08K3/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明克服了现有技术中聚噻吩-无机纳米复合材料成本高的不足，利用凹凸棒石特殊的晶体结构、物化性质及价格低廉等优势，提供一种聚噻吩纳米导电复合材料及其制备方法。该材料为碘掺杂多孔棒状二氧化硅/聚噻吩无定型导电复合材料。上述的聚噻吩纳米导电复合材料的制备方法，将噻吩单体溶于有机溶剂Ⅰ中，将纯化后的纳米凹凸棒石、氧化剂加入到有机溶剂Ⅱ中，然后将其逐滴滴加到噻吩的溶液中制备凹凸棒石/聚噻吩纳米复合材料；最后将所制备的凹凸棒石/聚噻吩纳米复合材料置于碘蒸气中制得多孔棒状二氧化硅/聚噻吩纳米导电复合材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 噻吩 纳米 导电 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种聚噻吩纳米导电复合材料，其特征在于：该材料为碘掺杂多孔棒状二氧化硅/聚噻吩无定型导电复合材料。
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