[发明专利]MOS晶体管结电容测试结构及表征方法有效
| 申请号： | 201210510075.5 | 申请日： | 2012-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102956620A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 郭奥 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R27/26 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种MOS晶体管结电容测试结构和表征方法，在传统MOS晶体管结电容提取方法的基础上，增加了不同设计参数的测试结构，通过对掺杂条件完全相同的PN结第一测试单元和MOS晶体管第二测试单元的结电容测量，准确提取MOS晶体管有源区掺杂的横向扩散长度、各单位结电容等参数，精确表征MOS晶体管或其他待测MOS结构的结电容。本发明提供的测试结构及表征方法对MOS晶体管的特征尺寸并没有特定的依赖性，随着半导体器件特征尺寸的缩小和工艺制程节点的向前推进，仍能保证对MOS晶体管结电容的高精度表征和建模，实现对MOS晶体管性能的有效表征。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 电容 测试 结构 表征 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管结电容测试结构，包括第一测试单元和第二测试单元，其特征在于：所述第一测试单元包括两个或两个以上PN结；所述第二测试单元包括两个或两个以上MOS晶体管。
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