[发明专利]射频功率放大集成电路及采用其的移动终端有效
| 申请号： | 201210504648.3 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102983823A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 路宁;陈高鹏;刘磊;黄清华 | 申请（专利权）人： | 锐迪科创微电子（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20;H03F3/189 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 于淼;杨颖 |
| 地址： | 100086 北京市海淀区知*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有功率控制功能的射频功率放大集成电路，由一功率控制器、三个功率单元模块、偏置电路以及匹配电路连接组成，其特征在于，所述三个功率单元模块由两个功率驱动级模块和一个功率输出放大级模块级联组成。本发明解决了现有无法有效减小射频功率放大集成电路的芯片面积、降低产品制作成本的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 功率 放大 集成电路 采用 移动 终端 | ||
【主权项】：
一种具有功率控制功能的射频功率放大集成电路，由一功率控制器、三个功率单元模块、偏置电路以及匹配电路连接组成，其特征在于，所述三个功率单元模块由两个功率驱动级模块和一个功率输出放大级模块级联组成，所述两个功率驱动级模块和一个功率输出放大级模块均由BJT晶体管和NMOS晶体管叠加而成；其中，所述BJT晶体管的发射极接地，所述BJT晶体管的基极为功率信号输入端，所述BJT晶体管的集电极和NMOS晶体管的源极相连，NMOS晶体管的漏极为功率信号输出端，NMOS晶体管的栅极受来自所述功率控制器产生的一个可变电压信号控制。
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