[发明专利]一种高介电常数聚偏氟乙烯基复合材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201210499506.2 申请日: 2012-11-29
公开(公告)号: CN102964754A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 李刚;李琳 申请(专利权)人: 哈尔滨师范大学
主分类号: C08L27/16 分类号: C08L27/16;C08K3/08;C08K3/04;C08J5/18;B29C43/58
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 高会会
地址: 150080 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种高介电常数聚偏氟乙烯基复合材料及其制备方法,它涉及一种聚偏氟乙烯基复合材料及其制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的石墨烯/PVDF复合材料存在介电常数偏低的问题。一种高介电常数聚偏氟乙烯基复合材料由Ag-石墨烯、N-甲基吡咯烷酮和PVDF树脂制备而成。方法的:一、制备Ag-石墨烯/N-甲基吡咯烷酮悬浮液;二、制备PVDF树脂/N-甲基吡咯烷酮溶液;三、混合得到Ag-石墨烯/PVDF树脂/N-甲基吡咯烷酮混合物;四、成膜得到Ag-石墨烯/PVDF三相复合材料薄膜;五、成型得到高介电常数聚偏氟乙烯基复合材料。本发明主要用于制备高介电常数聚偏氟乙烯基复合材料。
搜索关键词: 一种 介电常数 聚偏氟 乙烯基 复合材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种高介电常数聚偏氟乙烯基复合材料,其特征在于高介电常数聚偏氟乙烯基复合材料由Ag‑石墨烯、N‑甲基吡咯烷酮和PVDF树脂制备而成;所述的Ag‑石墨烯与PVDF树脂的质量比为1:(5~50);所述的Ag‑石墨烯和PVDF树脂总质量与N‑甲基吡咯烷酮质量的比为1:(6~125)。
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