[发明专利]传感器装置的制造方法及传感器装置在审

专利信息
申请号: 201210495371.2 申请日: 2012-11-28
公开(公告)号: CN103134598A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 山田健二 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: G01J5/12 分类号: G01J5/12
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种传感器装置的制造方法以及传感器装置,该传感器装置的制造方法包括:在基板的第一区域形成第一导电部的步骤;在第一导电部上形成热电体的步骤;在热电体上形成第二导电部的步骤;在第二导电部上及第二区域分别形成第一绝缘膜的步骤;通过除去第一绝缘膜的一部分而在第一区域形成将第二导电部作为底面的第一开口部,在第二区域形成第二开口部的步骤;在第一开口部及第二开口部中分别埋入第三导电部的步骤;形成在第一区域中覆盖热电体、而在第二区域中覆盖第三导电部的第二绝缘膜的步骤;以及通过除去第二绝缘膜的一部分而形成将第三导电部作为底面的第三开口部的步骤。
搜索关键词: 传感器 装置 制造 方法
【主权项】:
一种传感器装置的制造方法,所述传感器在基板上的第一区域具有热电传感器,同时在所述基板上的与所述第一区域不同的第二区域具有焊盘,所述传感器装置的制造方法的特征在于,包括:在所述第一区域形成第一导电部的步骤;在所述第一导电部上形成热电体的步骤;在所述热电体上形成第二导电部的步骤;在所述第二导电部上及所述第二区域分别形成第一绝缘膜的步骤;通过除去所述第一绝缘膜的一部分而在所述第一区域形成将所述第二导电部作为底面的第一开口部、在所述第二区域形成第二开口部的步骤;在所述第一开口部及所述第二开口部中分别埋入第三导电部的步骤;形成在所述第一区域中覆盖所述热电体、在所述第二区域中覆盖所述第三导电部的第二绝缘膜的步骤;以及通过除去所述第二绝缘膜的一部分而形成将所述第三导电部作为底面的第三开口部的步骤。
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