[发明专利]一种低温晶圆键合方法有效
| 申请号： | 201210491190.2 | 申请日： | 2012-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103832970A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 刘洪刚;李运;王盛凯;张雄;郭浩;孙兵;常虎东;赵威 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温晶圆键合方法，包括：对两个晶圆进行清洗；在清洗后的两个晶圆表面沉积一层氧化物；对两个晶圆中的至少一个进行表面活化处理；将表面活化处理后的两个晶圆在非真空环境下表面相对彼此接触并施加外力使其键合；以及对键合后的晶圆进行低温退火处理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 晶圆键合 方法 | ||
【主权项】：
一种低温晶圆键合方法，其特征在于，包括：对两个晶圆进行清洗；在清洗后的两个晶圆表面沉积一层氧化物；对两个晶圆中的至少一个进行表面活化处理；将表面活化处理后的两个晶圆在非真空环境下表面相对彼此接触并施加外力使其键合；以及对键合后的晶圆进行低温退火处理。
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