[发明专利]一种利用ALD制备栅介质结构的方法有效
| 申请号： | 201210477230.8 | 申请日： | 2012-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103065955A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 董亚斌;夏洋;李超波;张阳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及制备集成电路器件的技术领域，具体涉及一种利用ALD制备栅介质结构的方法。所述方法，包括如下步骤：步骤(1)，将衬底放入ALD设备的腔室中；步骤(2)，在所述衬底表面生长单层HfO2；步骤(3)，在所述单层HfO2表面生长单层Al2O3；步骤(4)，重复步骤(2)和步骤(3)，得到HfO2和Al2O3交叠生长的栅介质结构。本发明制备出的HfO2和Al2O3交叠生长的栅介质结构能够充分的实现Hf和Al的原子的结合，以及相互之间的作用，提高栅介质的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 ald 制备 介质 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种利用ALD制备栅介质结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤(1)，将衬底放入ALD设备的腔室中；步骤(2)，在所述衬底表面生长单层HfO2；步骤(3)，在所述单层HfO2表面生长单层Al2O3；步骤(4)，重复步骤(2)和步骤(3)，得到HfO2和Al2O3交叠生长的栅介质结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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