[发明专利]一种镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201210475152.8 | 申请日： | 2012-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102956814A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 许祝安;杨小军;曹光旱 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料，化学式组成为：La1-xSrxCu1-yMnySO。本发明还公开了该镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料的制备方法，将原料混合，在氩气保护下充分研磨，然后在一定的压强下冲压；将得到的压片密封在真空容器内，放在管式炉中升温，再恒温煅烧，即得到镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料。本发明采用Mn2+替代Cu+的方法引入磁矩，然后用Sr部分替代La引入空穴型载流子，通过以上掺杂可以很好的控制该半导体的导电性和磁性，获得了居里温度更高的ZrCuSiAs型结构的稀磁半导体，该稀磁半导体材料具有很高铁磁转变温度，居里温度TC提高到199K，且不含有As等剧毒元素。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 镧锶铜锰硫氧稀磁 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料，其特征在于，化学式组成为：La1‑xSrxCu1‑yMnySO，其中x＝0～0.1，y＝0.05～0.1。
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