[发明专利]发声芯片有效
| 申请号： | 201210471194.4 | 申请日： | 2012-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN103841503B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H04R23/00 | 分类号： | H04R23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发声芯片，其包括一基底，其具有一第一表面；一热致发声元件设置于所述基底的第一表面；一第一电极和一第二电极间隔设置并分别与所述热致发声元件电连接；以及一集成电路芯片设置于所述基底上且分别与所述第一电极和第二电极电连接，该集成电路芯片输出音频电信号给所述热致发声元件，所述热致发声元件根据输入的信号间歇性地加热周围介质，使周围介质热胀冷缩并向更远处进行热交换，形成声波。 | ||
| 搜索关键词： | 发声 芯片 | ||
【主权项】：
一种发声芯片，其包括：一基底，其具有一第一表面；一热致发声元件设置于所述基底的第一表面；一第一电极和一第二电极间隔设置并分别与所述热致发声元件电连接；以及一集成电路芯片设置于所述基底上且分别与所述第一电极和第二电极电连接，该集成电路芯片输出音频电信号给所述热致发声元件，所述热致发声元件根据输入的信号间歇性地加热周围介质，使周围介质热胀冷缩并向更远处进行热交换，形成声波，其特征在于，所述基底为一硅基片，所述基底的第一表面具有多个凹凸结构，所述凹凸结构定义多个交替设置的凸部与凹部，所述凹部的深度为100微米至200微米，所述热致发声元件部分设置于该凸部顶面上，部分则通过该凹部悬空设置。
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