[发明专利]基于主辅线圈双重激励的低噪声微型平面磁通门传感器有效
| 申请号： | 201210465532.3 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102981131A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 雷冲;周勇;杨真;雷剑 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G01R33/04 | 分类号： | G01R33/04 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于主辅线圈双重激励的低噪声微型平面磁通门传感器，包括：衬底、主激励线圈、辅助激励线圈、检测线圈、磁芯、电极、聚酰亚胺薄膜，其中，在磁芯平行的两条长轴两端对称绕制四组主激励线圈，在长轴中部对称绕制三组检测线圈和两组辅助激励线圈；在同一长轴上每两组检测线圈中间分布一组所述辅助激励线圈，所述主激励线圈、辅激励线圈和检测线圈均位于衬底表面，所述主激励线圈的两端连接电极。本发明解决了传统磁通门传感器制造稳定性、重复性差的问题，采用主辅线圈双重激励提高了微型磁通门传感器激励效率，有效降低了输出信号噪声和能耗，可以和接口电路集成制造，在许多新的领域具有广泛的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 线圈 双重 激励 噪声 微型 平面 磁通门 传感器 | ||
【主权项】：
一种基于主辅线圈双重激励的低噪声微型平面磁通门传感器，其特征在于，包括：衬底(1)、主激励线圈(2)、辅助激励线圈(3)、检测线圈(4)、磁芯(5)、电极(6)和聚酰亚胺薄膜(7)，其中，在磁芯(5)平行的两条长轴两端对称绕制四组主激励线圈(2)，在长轴中部对称绕制三组检测线圈(4)和两组辅助激励线圈(3)；位于同一长轴上的三组检测线圈(4)之间同向串联，位于不同长轴上的检测线圈(4)之间反向串联，在同一长轴上每两组检测线圈(4)中间分布一组所述辅助激励线圈(3)，所述磁芯(5)、主激励线圈(2)、辅激励线圈(3)和检测线圈(4)均由所述聚酰亚胺保护膜(7)包覆以绝缘隔离，所述主激励线圈(2)、辅激励线圈(3)和检测线圈(4)均位于衬底(1)表面，所述主激励线圈(2)和检测线圈(4)的两端分别连接电极(6)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210465532.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种金针菇的地沟栽培技术
- 下一篇：采用弯曲试验测试材料拉伸强度的改进方法
