[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置有效
| 申请号： | 201210452632.2 | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102929058A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 王国磊;马睿;胡明 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，涉及显示领域，可降低阵列基板与彩膜基板对位偏差对透过率的影响，避免对位偏差导致的漏光，同时还可增强信号线绝缘度，降低面板功耗。所述阵列基板，包括：基板，设置于基板上的薄膜晶体管，像素电极，以及钝化层；钝化层覆盖薄膜晶体管，像素电极设置在钝化层的上方，还包括：图案化的色阻层和黑矩阵；色阻层设置在基板与栅绝缘层之间，并且分布在像素电极对应区域；黑矩阵设置在钝化层上，并且位于色阻层对应区域以外的区域。所述方法包括：形成栅线和栅极；制作色阻层；形成栅绝缘层、有源层、源漏电极层和钝化层；形成黑矩阵；形成像素电极。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，包括：基板，设置于所述基板上的薄膜晶体管，像素电极，以及钝化层，所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极；所述钝化层覆盖所述薄膜晶体管，所述像素电极设置在所述钝化层的上方，其特征在于，还包括：图案化的色阻层和黑矩阵；所述色阻层设置在所述基板与栅绝缘层之间，并且分布在所述像素电极对应区域；所述黑矩阵设置在所述钝化层上，并且位于所述色阻层对应区域以外的区域。
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