[发明专利]独立控制五温区ZnSe合成沉积炉无效

专利信息
申请号: 201210443877.9 申请日: 2012-11-09
公开(公告)号: CN102943250A 公开(公告)日: 2013-02-27
发明(设计)人: 付国忠;侯秋林;陈秀珩;张广科;王东鹏 申请(专利权)人: 北京力量激光元件有限责任公司
主分类号: C23C16/448 分类号: C23C16/448;C23C16/30;C01B19/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100012*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种独立控制五温区ZnSe合成沉积炉,包括硒蒸发区、锌蒸发区、合成区、沉积区以及杂质富集区,合成区的一端连接硒蒸发区,合成区的另一端连接锌蒸发区,合成区的第三端与沉积区的一端连接,沉积区的另一端与杂质富集区连接,在硒蒸发区、锌蒸发区、合成区以及沉积区分别设有各自的加热器,通过控制系统控制上述四个区加热器的加热温度、反应温度以及反应流程以沉积出优质的硒化锌合成料。本发明由于在各个区中设置加热器并且进行独立的温控,使得硒蒸发区和锌蒸发区中膜料的各个加热阶段相对应,避免了硒和锌蒸发温度不同带来的影响,最终确保沉积出优质的硒化锌合成料。
搜索关键词: 独立 控制 五温区 znse 合成 沉积
【主权项】:
一种独立控制五温区ZnSe合成沉积炉,包括硒蒸发区(1)、锌蒸发区(2)、合成区(3)、沉积区(4)以及杂质富集区(5),其特征在于:合成区(3)的一端连接硒蒸发区(1),合成区(3)的另一端连接锌蒸发区(2),合成区(3)的第三端与沉积区(4)的一端连接,沉积区(4)的另一端与杂质富集区(5)连接,在硒蒸发区(1)、锌蒸发区(2)、合成区(3)以及沉积区(4)分别设有各自的加热器,通过控制系统控制上述四个区加热器的加热温度、反应温度以及反应流程以沉积出优质的硒化锌合成料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京力量激光元件有限责任公司,未经北京力量激光元件有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210443877.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top