[发明专利]独立控制五温区ZnSe合成沉积炉无效
申请号: | 201210443877.9 | 申请日: | 2012-11-09 |
公开(公告)号: | CN102943250A | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | 付国忠;侯秋林;陈秀珩;张广科;王东鹏 | 申请(专利权)人: | 北京力量激光元件有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448;C23C16/30;C01B19/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100012*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种独立控制五温区ZnSe合成沉积炉,包括硒蒸发区、锌蒸发区、合成区、沉积区以及杂质富集区,合成区的一端连接硒蒸发区,合成区的另一端连接锌蒸发区,合成区的第三端与沉积区的一端连接,沉积区的另一端与杂质富集区连接,在硒蒸发区、锌蒸发区、合成区以及沉积区分别设有各自的加热器,通过控制系统控制上述四个区加热器的加热温度、反应温度以及反应流程以沉积出优质的硒化锌合成料。本发明由于在各个区中设置加热器并且进行独立的温控,使得硒蒸发区和锌蒸发区中膜料的各个加热阶段相对应,避免了硒和锌蒸发温度不同带来的影响,最终确保沉积出优质的硒化锌合成料。 | ||
搜索关键词: | 独立 控制 五温区 znse 合成 沉积 | ||
【主权项】:
一种独立控制五温区ZnSe合成沉积炉,包括硒蒸发区(1)、锌蒸发区(2)、合成区(3)、沉积区(4)以及杂质富集区(5),其特征在于:合成区(3)的一端连接硒蒸发区(1),合成区(3)的另一端连接锌蒸发区(2),合成区(3)的第三端与沉积区(4)的一端连接,沉积区(4)的另一端与杂质富集区(5)连接,在硒蒸发区(1)、锌蒸发区(2)、合成区(3)以及沉积区(4)分别设有各自的加热器,通过控制系统控制上述四个区加热器的加热温度、反应温度以及反应流程以沉积出优质的硒化锌合成料。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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