[发明专利]一种离子均匀注入的宽带束扫描方法有效
| 申请号： | 201210442569.4 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103779161A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 王高腾 | 申请（专利权）人： | 北京中科信电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/147 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强 |
| 地址： | 101111 北京市通*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子均匀注入的带束扫描方法，属于半导体制造领域。离子均匀注入的带束扫描系统包括：计算机(实时系统)、运动控制器、直线电机、多线圈调节磁铁、多极调节磁极、移动法拉第、角度法拉第，离子均匀注入的带束扫描方法包括水平方向的离子带束均匀性及平行度校正和垂直方向的机械扫描，通过计算机(实时系统)对多线圈调节磁铁和多极调节磁极的协调控制以及采样法拉第和移动法拉第对束流的检测，实现运动控制器协调控制直线电机垂直方向的扫描速度，从而达到离子带束均匀注入晶圆的目的。本发明能够实现离子注入剂量的精确检测和剂量的均匀性控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 均匀 注入 宽带 扫描 方法 | ||
【主权项】：
一种离子均匀注入的带束扫描方法，包括水平方向的离子带束均匀性及平行度校正和垂直方向的机械扫描，移动法拉第杯(3)采集离子带束各点的束流大小，通过计算机(1)控制多线圈调节磁铁(4)的线圈电流状态，改变束流通过区域的磁场分布，进而改变束流通过调节区域后的角度分布，从而使得水平方向离子带束各点束流大小均匀分布；多极调节磁极(5)通过各电机调节各磁极的垂直位置，改变与对称磁极之间的极距，调节局部的磁场强度，最终改变穿过该区域的离子束的偏转角度以调节宽带束的平行度参数；采样法拉第杯(6)采集离子带束各点的束流大小，通过运动控制器(2)调节直线电机运动速度，使注入到晶圆的剂量均匀分布。
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