[发明专利]边缘场切换液晶显示器装置及其制造方法

摘要

本发明提供了一种使用有机绝缘层且功耗较少的边缘场切换液晶显示器装置及其制造方法，改变低温保护膜的上层的膜特性，以改善焊盘部接触孔内的底切。该装置包括：第一基板；形成在第一基板上且彼此交叉以限定像素区域的栅极线和数据线；形成在栅极线和数据线的交叉处的TFT，包括栅极、有源层及源极和漏极；在第一基板上形成的有机保护膜，由有机绝缘层形成；在整个第一基板上作为单个图案形成的公共电极；在第一基板上形成的低温保护膜，包括上层和下层，上层具有强于下层的多孔性；在像素区域中形成的像素电极，具有包含多个狭缝的盒状；及以面对的方式与第一基板接合的第二基板，低温保护膜的上层的Si-H/Si-N的键合比为80％或更大。

主权项

一种制造边缘场切换液晶显示器装置的方法，所述方法包括：提供被划分为像素部和焊盘部的第一基板；在所述第一基板的像素部中形成栅极和栅极线，并在所述第一基板的焊盘部中形成焊盘线；在上面形成有所述栅极、所述栅极线和所述焊盘线的第一基板上形成栅极绝缘层；在上面形成有所述栅极绝缘层的栅极的上部形成有源层；在上面形成有所述有源层的第一基板的有源层的上部形成源极和漏极，并形成与所述栅极线交叉以限定像素区域的数据线；在上面形成有所述源极、所述漏极和所述数据线的第一基板上形成第一保护膜；在上面形成有所述第一保护膜的第一基板的像素部中形成由有机绝缘层形成的第二保护膜；在上面形成有所述第二保护膜的第一基板的像素部中形成第一电极；通过调整气体流速，在上面形成有所述第一电极的第一基板上形成第三保护膜，使得所述第三保护膜的上层具有比其下层强的多孔性；选择性地蚀刻所述栅极绝缘层、所述第一保护膜和所述第三保护膜，以形成暴露所述焊盘线的焊盘部接触孔；在上面形成有所述第三保护膜的第一基板的像素部中形成第二电极，并在所述第一基板的焊盘部中形成通过所述焊盘部接触孔与所述焊盘线电连接的焊盘电极；以及接合所述第一基板和第二基板。