[发明专利]非易失性存储器的基准电流的内置自微调

摘要

本发明公开了一种非易失性存储器的基准电流的内置自微调机制，通过该内置微调机制，产品的可靠性能够通过使用于访问非易失性存储器以及用于执行对基准电流的初始微调的基准电流的漂移最小化来提高。实施例通过以下操作来执行这些任务使用模数转换器（330，530）来提供基准电流（Iref）的数字表示，然后将该数字表示与Iref的所存储的目标范围值比较，并且然后相应地调整Iref的源。对于由NVM基准位单元（310）生成的基准电流，编程或擦除脉冲被施加于基准单元，作为微调过程的一部分。对于由基于带隙的电路（510）生成的基准电流，比较结果能够被用来调整基准电流电路。另外，环境因素（例如，温度）能够被用来调整基准电流的测量值和目标范围值。

主权项

一种非易失性存储器系统，包括：非易失性存储器(NVM)阵列；配置用于生成用来访问所述NVM阵列的NVM基准电流的NVM基准电流的发生器；模数转换器(ADC)，与所述NVM基准电流的发生器耦接，并且被配置用于将所述NVM基准电流转换成NVM基准电流的数字值；比较器，与所述ADC耦接，并且被配置用于将所述NVM基准电流的数字值与目标值比较；以及微调逻辑块，与所述比较器耦接，并且被配置用于给所述NVM基准电流的发生器提供控制信号以在所述NVM基准电流的数字值处于所述目标值的范围之外时产生所调整的NVM基准电流，其中所调整的NVM基准电流的数字值处于所述目标值的范围之内；一个或更多个寄存器，与所述比较器耦接，存储所述目标值的范围的下限和所述目标值的范围的上限；温度传感器，与所述ADC和所述一个或更多个寄存器中的一个或更多个耦接，并且被配置用于给所述ADC和所述寄存器中的所述一个或更多个提供温度数据；所述ADC还被配置用于在需要时响应于所述温度数据来调整所述NVM基准电流的数字值；并且所述一个或更多个寄存器还被配置用于在需要时响应于所述温度数据来调整所述目标值的范围的下限和所述目标值的范围的上限。