[发明专利]一种高响应的DIP整流桥的工艺有效
| 申请号： | 201210412773.1 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103117230A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 曹孙根;李国良 | 申请（专利权）人： | 南通康比电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 226500 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高响应的DIP整流桥的制作工艺，其特征在于：主要为框架退火、刷胶组装、焊接三个步骤。所述框架退火工艺为：将框架通过通有氮气的焊接炉（Tpeak=440-460℃）退火。所述刷胶组装工艺为：利用丝网印刷，将锡膏印刷至框架工艺设计区域，再将芯片通过吸盘分向，并用吸笔转换至已经印刷锡膏的框架工艺设计区域。所述焊接工艺为：将组装完成的材料放进石墨舟通过焊接炉（Tpeak=350-360℃）使芯片与框架焊接在一起。本发明所得的产品，经检测，芯片表面为金属-半导体直接接触，故频率高，反向恢复时间短，Trr≤15ns，可靠性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 响应 dip 整流 工艺 | ||
【主权项】：
一种高响应的DIP整流桥的制作工艺，其特征在于：主要为框架退火、刷胶组装、焊接三个步骤；所述框架退火工艺为：将框架通过通有氮气的焊接炉Tpeak=440‑460℃的条件下退火，目的是将框架通过高温退火，使框架变软，减少应力；所述刷胶组装工艺为：利用丝网印刷，将锡膏印刷至框架工艺设计区域，再将芯片通过吸盘分向，并用吸笔转换至已经印刷锡膏的框架工艺设计区域；所述焊接工艺为：将组装完成的材料放进石墨舟通过焊接炉Tpeak=350‑360℃的条件下使芯片与框架焊接在一起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
