[发明专利]一种高响应的DIP整流桥的工艺有效
| 申请号： | 201210412773.1 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103117230A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 曹孙根;李国良 | 申请（专利权）人： | 南通康比电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 226500 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 响应 dip 整流 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种高响应的DIP整流桥的制作工艺，其特征在于：主要为框架退火、刷胶组装、焊接三个步骤；
所述框架退火工艺为：将框架通过通有氮气的焊接炉Tpeak=440-460℃的条件下退火，目的是将框架通过高温退火，使框架变软，减少应力；
所述刷胶组装工艺为：利用丝网印刷，将锡膏印刷至框架工艺设计区域，再将芯片通过吸盘分向，并用吸笔转换至已经印刷锡膏的框架工艺设计区域；
所述焊接工艺为：将组装完成的材料放进石墨舟通过焊接炉Tpeak=350-360℃的条件下使芯片与框架焊接在一起。
2. 根据权利要求1所述的一种高响应的DIP整流桥的制作工艺。其特征在于：所述芯片的分向的具体步骤如下：将晶粒倒在硬纸板上，轻轻地上下颠簸3~5次，利用芯片P、N面金属不同的、其受力不一样的原理，使芯片的P面全部朝上，然后再将P面朝上的芯片用纸板集中拨到吸盘内，在轻摇吸盘，使吸盘自动落入吸孔内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通康比电子有限公司，未经南通康比电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210412773.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：弹簧束支承双向偏心推力轴承
- 下一篇：一种砌墙砌块
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
