[发明专利]非晶态碲镉汞/晶态硅异质结红外探测器及其制造方法

摘要

非晶态碲镉汞/晶态硅异质结红外探测器，其特征在于由晶态硅基底、非晶态碲镉汞、金属第一电极和金属第二电极组成，其中，非晶态碲镉汞与晶态硅基底构成异质结，金属第一电极与非晶态碲镉汞连接，金属第二电极与晶态硅基底连接。其制备工艺步骤为衬底清洗、制备非晶态碲镉汞薄膜、光敏面成型、金属电极制备和封装测试；或者为衬底清洗、金属第二电极制备、制备非晶态碲镉汞薄膜、光敏面成型、金属第一电极制备和封装测试。本发明中的非晶态半导体材料对衬底无选择性，组成异质结的材料之间的晶格匹配性能较好，并具有显著的光电响应。该探测器的最佳工作温度在近室温，利用两级半导体制冷即可，降低了红外探测器组件的重量、功耗及制作成本。

主权项

非晶态碲镉汞/晶态硅异质结红外探测器，其特征在于：由晶态硅基底⑴、非晶态碲镉汞⑵、金属第一电极⑶和金属第二电极⑷组成，其中，非晶态碲镉汞与晶态硅基底构成异质结，金属第一电极与非晶态碲镉汞连接，金属第二电极与晶态硅基底连接。