[发明专利]一种用于接触孔图形设计的光学邻近修正的方法有效
申请号: | 201210398044.5 | 申请日: | 2012-10-18 |
公开(公告)号: | CN103777457A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 王辉;王伟斌 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;高伟 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种用于接触孔图形设计的光学邻近修正的方法,包括:提供具有接触孔图形的设计版图;对所述设计版图中的接触孔图形实施第一光学邻近修正;判断经过所述第一光学邻近修正后的接触孔图形是否满足掩膜规则检验的要求,如果不满足掩膜规则检验的要求,则对经过所述第一光学邻近修正后的接触孔图形实施第二光学邻近修正时,在经过所述第一光学邻近修正后的接触孔图形之间添加另一图形使两个邻近的接触孔图形相连接成为一图形单元;对所述图形单元进行光刻投影模拟。根据本发明,对接触孔图形进行的光学邻近修正不会受到掩膜规则检验的限制,从而使修正后的接触孔图形能够完全补偿光刻模拟时光的干涉和衍射所引起的接触孔图形的变形。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 接触 图形 设计 光学 邻近 修正 方法 | ||
【主权项】:
一种用于接触孔图形设计的光学邻近修正的方法,包括:提供具有接触孔图形的设计版图;对所述设计版图中的接触孔图形实施第一光学邻近修正;判断经过所述第一光学邻近修正后的接触孔图形是否满足掩膜规则检验的要求,如果经过所述第一光学邻近修正后的接触孔图形不满足掩膜规则检验的要求,则对经过所述第一光学邻近修正后的接触孔图形实施第二光学邻近修正时,在经过所述第一光学邻近修正后的接触孔图形之间添加另一图形使两个邻近的接触孔图形相连接成为一图形单元;对所述图形单元进行光刻投影模拟;判断所述光刻投影模拟得到的接触孔图形的尺寸是否与所述设计版图中的接触孔图形的尺寸相一致,如果二者的尺寸不一致,则对所述第二光学邻近修正进行迭代优化处理,直至二者的尺寸相一致为止。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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