[发明专利]一种预调阈值的post-CMOS集成化方法有效
| 申请号： | 201210397861.9 | 申请日： | 2012-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102935995A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 赵丹淇;张大成;何军;黄贤;杨芳;田大宇;刘鹏;王玮;李婷;罗葵 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种预调阈值的post-CMOS集成化方法，通过预估MEMS工艺引入的阈值漂移量调整IC工艺中CMOS工艺的掺杂浓度，提高post-CMOS工艺后MOS管的阈值对称性。本发明方法对阈值漂移缺陷进行转化利用，不需要专用的低应力材料的生产设备，能够在满足MEMS可动结构和IC单片集成的需求的同时，保证集成电路部分MOS管的阈值对称性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阈值 post cmos 集成化 方法 | ||
【主权项】：
一种预调阈值的post‑CMOS集成化方法，包括IC工艺和MEMS工艺，其特征在于，通过预估MEMS工艺引入的阈值漂移量调整IC工艺中CMOS工艺的掺杂浓度，提高post‑CMOS工艺后MOS管的阈值对称性。
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