[发明专利]制造光电池的方法无效
申请号: | 201210397758.4 | 申请日: | 2008-12-10 |
公开(公告)号: | CN103280485A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 迈克尔·A·拉利;克里斯托弗·E·杜布;斯蒂芬·福克斯;安德鲁·加博尔;布朗·威廉姆斯 | 申请(专利权)人: | 麦克斯纪元公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 高伟;陆弋 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供了一种制造光电池的方法,所述方法包括:设置具有顶面的光敏衬底;将多个指状物沉积到所述衬底的所述顶面上,并且所述多个指状物与所述衬底欧姆接触,所述多个指状物每一个均具有小于大约95微米的平均宽度;以及将多条母线沉积在所述衬底的所述顶面上以与所述多个指状物相交,所述多条母线具有大于大约95微米的外部尺寸,所述多条母线中的至少两条母线沉积在所述衬底的所述顶面上,使得它们分开不超过大约38毫米。 | ||
搜索关键词: | 制造 光电池 方法 | ||
【主权项】:
一种制造光电池的方法,所述方法包括:设置具有顶面的光敏衬底;将多个指状物沉积到所述衬底的所述顶面上,并且所述多个指状物与所述衬底欧姆接触,所述多个指状物每一个均具有小于大约95微米的平均宽度;以及将多条母线沉积在所述衬底的所述顶面上以与所述多个指状物相交,所述多条母线具有大于大约95微米的外部尺寸,所述多条母线中的至少两条母线沉积在所述衬底的所述顶面上,使得它们分开不超过大约38毫米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的