[发明专利]一种蓝绿光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201210394267.4 | 申请日： | 2012-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN102931302A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 吴克敏;魏世祯 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/12;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种蓝绿光二极管外延片，属于二极管技术领域。所述外延片包括衬底层、以及依次覆盖在所述衬底层上的缓冲层、N型层、多量子阱层、P型电子阻挡层和P型层；所述多量子阱层包括由若干量子垒层和若干量子阱层交替形成的复合层、以及覆盖在所述复合层上的过渡层；所述复合层中与所述过渡层接触的一层为所述量子阱层。本发明通过将过渡层替换现有外延片多量子阱层中与P型电子阻挡层接触的量子垒层，减少了被阻挡在该层的电子数，同时也减少了停留在该层的空穴数，从而减少了在该层复合的电子和空穴，减少了发出波长接近紫外波段的光，最终提高了蓝绿光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蓝绿 二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种蓝绿光二极管外延片，所述外延片包括衬底层、以及依次覆盖在所述衬底层上的缓冲层、N型层、多量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，其特征在于，所述多量子阱层包括由若干量子垒层和若干量子阱层交替形成的复合层、以及覆盖在所述复合层上的过渡层；所述复合层中与所述过渡层接触的一层为所述量子阱层。
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