[发明专利]一种O.J二极管生产工艺有效
| 申请号： | 201210393279.5 | 申请日： | 2012-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN102867747A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 赵宇 | 申请（专利权）人： | 如皋市大昌电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 226500 江苏省南通市如*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种O.J二极管生产工艺，其创新点在于所述步骤为：在硅片镀镍后涂覆光阻胶；在硅片的N+面光刻图形；利用硅片N+面的图形作为划片下刀参考线进行划片；对划片后的芯片台面进行酸腐蚀；去除表面的光阻胶再次镀镍；然后经焊接、碱洗、梳条以及其他常规工序完成二极管制作。对光阻胶保护的芯片进行酸腐蚀，去除划片过程对芯片造成的损伤；在酸腐蚀后去除光阻胶进行焊接，焊接后进行碱洗，避免了酸洗时焊料、引线中的金属物质与酸反应影响芯片腐蚀速率；省去大量清洗的过程，节约了资源。同时，由于没有金属离子吸附在芯片表面，避免产品的电性衰降和高温下发生热击穿等故障，电性良率较传统的96%提高至98%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 生产工艺 | ||
【主权项】：
一种O.J二极管生产工艺，其特征在于所述步骤为：在硅片P+、N+面完成镀镍后，再在硅片P+、N+面表面涂覆光阻胶；在硅片的N+面光刻图形，通过曝光和显影，图形间间隙处光阻胶被去除；划片，利用硅片N+面的图形间间隙作为划片下刀参考线进行划片；对划片后的芯片台面进行酸腐蚀，去除划片过程对芯片造成的损伤，由于光刻图形作用使芯片台面形成正斜角结构；去除表面的光阻胶，并再次镀镍；将芯片的N+面和P+面分别通过焊料焊接引线；然后经碱洗、梳条后进行上胶、胶固化，再经模压、后固化、电镀，最后经测试合格后印字、包装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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