[发明专利]以铜/石墨烯复合电极为阳极的半导体光电器件有效
| 申请号： | 201210391045.7 | 申请日： | 2012-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN102881841A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 秦国刚;孟虎;戴伦;徐万劲 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以铜/石墨烯复合电极为阳极的半导体光电器件。在铜箔上利用化学气相淀积方法生长石墨烯薄膜，将所得的铜/石墨烯复合材料应用作半导体光电器件的阳极，例如作为顶发射有机电致发光二极管的阳极，能够简化工艺流程，提高器件的出光效率，增加器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 复合 极为 阳极 半导体 光电 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体光电器件，其特征在于，其阳极为铜/石墨烯复合电极，该复合电极包括铜箔和生长在铜箔上的石墨烯薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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