[发明专利]红外感测器及其制造方法有效
| 申请号： | 201210379764.7 | 申请日： | 2012-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN102881760A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种红外感测器及其制造方法，属于半导体器件领域。红外感测器包括：微桥结构单元、设置在所述微桥结构单元上的探测结构单元，所述探测结构单元包括从下到上依次设置在所述微桥结构单元之上的第一释放保护和第二释放保护层，以及设置在第一释放保护层和第二释放保护层之间的二极管；所述二极管包括电极层和半导体层，所述电极层包括位于不同层的正极、负极，所述半导体层夹设在所述正极和所述负极之间，所述半导体层包括对应于所述电极层中正极的正极半导体层、对应于所述电极层中负极的负极半导体层。本发明解决了现有技术红使用敏感材料来进行红外探测导致的成本较高。 | ||
| 搜索关键词： | 外感 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种红外感测器，其特征在于，包括：微桥结构单元、设置在所述微桥结构单元上的探测结构单元，所述探测结构单元包括从下到上依次设置在所述微桥结构单元之上的第一释放保护和第二释放保护层，以及设置在第一释放保护层和第二释放保护层之间的二极管；所述二极管包括电极层和半导体层，所述电极层包括位于不同层的正极、负极，所述半导体层夹设在所述正极和所述负极之间，所述半导体层包括对应于所述电极层中正极的正极半导体层、对应于所述电极层中负极的负极半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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