[发明专利]发光二极管装置有效
| 申请号： | 201210370912.9 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103715317A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 许进恭;赖韦志 | 申请（专利权）人： | 华夏光股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人： | 陈波;文琦 |
| 地址： | 开曼群岛KY1-11*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 一种发光二极管装置，包括至少一发光二极管单元。每一发光二极管单元包括第一发光二极管、第二发光二极管及IV族氮化物结构。IV族氮化物结构作为隧穿结位于第一发光二极管与第二发光二极管之间。IV族氮化物结构富含IV族元素，并且包括至少一IV族氮化物层，以及位于IV族氮化物层内的多个IV族纳米颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 装置 | ||
【主权项】：
一种发光二极管装置，包括：至少一个发光二极管单元，该至少一个发光二极管单元包括：第一发光二极管，该第一发光二极管包括n侧氮化物半导体层、第一活性层和p侧氮化物半导体层；第二发光二极管，该第二发光二极管包括n侧氮化物半导体层、第二活性层和p侧氮化物半导体层；以及IV族氮化物结构，其富含IV族元素，并且包括至少一个IV族氮化物层，以及位于该IV族氮化物层内的多个IV族纳米颗粒，该IV族氮化物结构作为隧穿结位于所述第一发光二极管与所述第二发光二极管之间。
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