[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201210368199.4 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103700748A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 冯辰;潜力;王昱权 | 申请（专利权）人： | 北京富纳特创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管，其包括：一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层、一第一电极以及一第二电极；所述第二电极、第二半导体层、活性层以及第一半导体层依次层叠设置，所述第二电极与第二半导体层电连接，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二半导体层远离活性层的表面为所述发光二极管的出光面；其中，所述第二电极为一碳纳米管膜，包括多个碳纳米管线以及多个碳纳米管团簇，所述多个碳纳米管线间隔设置，所述碳纳米管团簇设置于相邻两个碳纳米管线之间且通过范德华力与所述碳纳米管线紧密相连，且相邻的碳纳米管线之间的多个碳纳米管团簇间隔设置。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其包括：一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层、一第一电极以及一第二电极；所述第二电极、第二半导体层、活性层以及第一半导体层依次层叠设置，所述第二电极与第二半导体层电连接，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二半导体层远离活性层的表面为所述发光二极管的出光面，所述第二电极设置于所述发光二极管的出光面；其特征在于，所述第二电极为一碳纳米管膜，包括多个碳纳米管线以及多个碳纳米管团簇，所述多个碳纳米管线间隔设置，所述碳纳米管团簇设置于相邻两个碳纳米管线之间且通过范德华力与所述碳纳米管线紧密相连，相邻的碳纳米管线之间的碳纳米管团簇之间间隔设置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京富纳特创新科技有限公司，未经北京富纳特创新科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210368199.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
