[发明专利]光电转换装置

摘要

本发明的一个方式提供一种提高了电特性的光电转换装置。本发明的一个方式是一种光电转换装置，其中在结晶硅衬底的一个面上使用第一硅半导体层及第二硅半导体层的叠层形成窗口层，第二硅半导体层的载流子浓度高于第一硅半导体层的载流子浓度且具有开口部。在该开口部中，由于光不经过第二硅半导体层地照射到第一硅半导体层，所以可以减少窗口层中的光吸收损失。

主权项

一种光电转换装置，包括：结晶硅衬底；形成在所述结晶硅衬底的一个面上的第一硅半导体层，该第一硅半导体层具有p型导电性；部分地形成在所述第一硅半导体层上的第二硅半导体层，该第二硅半导体层具有p型导电性；所述第二硅半导体层上的第一透光导电膜；以及所述第一透光导电膜上的第一电极，其中，所述第一电极部分地重叠于所述第二硅半导体层，并且，所述第一硅半导体层包括不重叠于所述第二硅半导体层及所述第一电极的部分。