[发明专利]光电转换装置

权利要求书

1.一种光电转换装置，包括：

结晶硅衬底；

形成在所述结晶硅衬底的一个面上的第一硅半导体层，该第一硅半导体层具有p型导电性；

部分地形成在所述第一硅半导体层上的第二硅半导体层，该第二硅半导体层具有p型导电性；

所述第二硅半导体层上的第一透光导电膜；以及

所述第一透光导电膜上的第一电极，

其中，所述第一电极部分地重叠于所述第二硅半导体层，

并且，所述第一硅半导体层包括不重叠于所述第二硅半导体层及所述第一电极的部分。

2.根据权利要求1所述的光电转换装置，还包括：

所述结晶硅衬底下的第三硅半导体层，该第三硅半导体层具有n型导电性或i型导电性；

所述第三硅半导体层下的第四硅半导体层，该第四硅半导体层具有n型导电性；以及

所述第四硅半导体层下的第二电极。

3.根据权利要求1所述的光电转换装置，还包括：

所述结晶硅衬底下的第三硅半导体层，该第三硅半导体层具有n型导电性或i型导电性；

所述第三硅半导体层下的第四硅半导体层，该第四硅半导体层部分地重叠于所述第三硅半导体层并具有n型导电性；

所述第四硅半导体层下的第二透光导电膜；以及

所述第二透光导电膜下的第二电极，

其中所述第二电极部分地重叠于所述第四硅半导体层，

并且所述第三硅半导体层包括不重叠于所述第四硅半导体层及所述第二电极的部分。

4.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中所述一个面和与所述一个面相反的面中的至少一个具有多个凸部。

5.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中所述第二硅半导体层具有比所述第一硅半导体层高的载流子浓度。

6.根据权利要求3所述的光电转换装置，其中所述第四硅半导体层具有比所述第三硅半导体层高的载流子浓度。

7.一种光电转换装置，包括：

结晶硅衬底；

形成在所述结晶硅衬底的一个面上的第一硅半导体层，该第一硅半导体层具有p型导电性；

具有第一开口且形成在所述第一硅半导体层上的第一透光导电膜；

形成在第一开口中且接触于所述第一硅半导体层的第二硅半导体层，该第二硅半导体层具有p型导电性；

所述第二硅半导体层上的第一电极；以及

所述第一电极上的第二透光导电膜，

其中，所述第一电极部分地重叠于所述第二硅半导体层，以使所述第一透光导电膜不被所述第一电极覆盖。

8.根据权利要求7所述的光电转换装置，还包括：

所述结晶硅衬底下的第三硅半导体层，该第三硅半导体层具有n型导电性或i型导电性；

所述第三硅半导体层下的第四硅半导体层，该第四硅半导体层具有n型导电性；以及

所述第四硅半导体层下的第二电极。

9.根据权利要求7所述的光电转换装置，还包括：

所述结晶硅衬底下的第三硅半导体层，该第三硅半导体层具有n型导电性或i型导电性；

具有第二开口且形成在所述第三硅半导体层下的第三透光导电膜；

形成在所述第二开口中且接触于所述第三硅半导体层的第四硅半导体层，该第四硅半导体层具有n型导电性；

所述第四硅半导体层下的第二电极；以及

所述第二电极下的第四透光导电膜，

其中所述第二电极部分地重叠于所述第四硅半导体层，以使所述第一透光导电膜不被所述第一电极覆盖。

10.根据权利要求7所述的光电转换装置，其中所述一个面和与所述一个面相反的面中的至少一个具有多个凸部。

11.根据权利要求7所述的光电转换装置，其中所述第二硅半导体层具有比所述第一硅半导体层高的载流子浓度。

12.根据权利要求9所述的光电转换装置，其中所述第四硅半导体层具有比所述第三硅半导体层高的载流子浓度。