[发明专利]光罩的清洗方法及拆除光罩保护薄膜组件的方法在审
申请号: | 201210365188.0 | 申请日: | 2012-09-26 |
公开(公告)号: | CN103676469A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 张士健;林益世;胡华勇 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/82 | 分类号: | G03F1/82;G03F1/62 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种光罩的清洗方法及拆除光罩保护薄膜组件的方法,其中光罩的清洗方法,包括:对光罩进行第一清洗,所述第一清洗采用的第一清洗剂为超临界流体。本发明还提供一种光罩保护薄膜组件的拆除方法,采用本发明的拆除光罩保护薄膜组件的拆除方法及拆除光罩保护薄膜组件后的光罩清洗方法能将光罩保护薄膜组件与光罩之间的粘着剂去除干净,并且能将拆除光罩保护薄膜组件后的光罩清洗干净。 | ||
搜索关键词: | 清洗 方法 拆除 保护 薄膜 组件 | ||
【主权项】:
一种拆除光罩保护薄膜组件后的光罩的清洗方法,其特征在于,包括:对光罩进行第一清洗,所述第一清洗采用的第一清洗剂为超临界流体。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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