[发明专利]一种二维硅烯薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201210353613.4 | 申请日： | 2012-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103668069A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 徐明生;陈红征 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C30B29/06;C30B29/64;C30B23/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种固态硅源生长二维硅烯薄膜的方法，采用物理气相沉积技术将硅原子基团从固态硅源中释放在催化层上而形成硅烯薄膜；所述催化层的厚度为25nm～25mm，催化层温度控制在20℃～1600℃之间。本发明方法简单、易于实现。制备得到的硅烯薄膜是由三个、四个、五个、六个或七个硅原子为其重复单元并由共价键相连而成的二维层状薄膜，所包含的硅烯的层数为1～200层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种固态硅源生长二维硅烯薄膜的方法，其特征在于，采用物理气相沉积技术将硅原子基团从固态硅源中释放在催化层上形成硅烯薄膜；所述催化层的厚度为25nm～25mm，催化层温度控制在20℃～1600℃之间。
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