[发明专利]微机电加速度计及其制造方法有效
| 申请号： | 201210353245.3 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102879607A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 刘礼;赵邦六;岳新波 | 申请（专利权）人： | 北京金禾天晟高新技术有限责任公司 |
| 主分类号： | G01P15/125 | 分类号： | G01P15/125;B81B3/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 100085 北京海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 微机电加速度计及其制造方法，包括：对包括依次层叠的第一硅层、氧化物层以及第二硅层的绝缘体上硅晶片进行第一刻蚀，以在所述第一硅层中形成延伸至所述氧化物层的若干个第一刻痕，从而利用所述第一硅层形成所述微机电加速度计的质量体的两个支脚；对所述绝缘体上硅晶片进行第二刻蚀，以在所述第二硅层中形成延伸至所述氧化物层的若干个第二刻痕，从而利用所述第二硅层形成所述微机电加速度计的质量体中的电极；以及对所述氧化物层进行刻蚀，以使得所述两个支脚之间的第一硅层脱离。由于能够免切割地形成大尺寸的质量体，根据本发明实施例实现了高产能和高灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 加速度计 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种微机电加速度计的制造方法，包括：对包括第一硅层、氧化物层以及第二硅层的绝缘体上硅晶片进行第一刻蚀，以在所述第一硅层中形成延伸至所述氧化物层的若干个第一刻痕，从而利用所述第一硅层形成所述微机电加速度计的质量体的两个支脚，其中所述第一硅层、所述氧化物层以及所述第二硅层沿层叠方向依次堆叠；对所述绝缘体上硅晶片进行第二刻蚀，以在所述第二硅层中形成延伸至所述氧化物层的若干个第二刻痕，从而利用所述第二硅层形成所述微机电加速度计的质量体中的电极；以及对所述氧化物层进行刻蚀，以使得所述两个支脚之间的第一硅层脱离。
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