[发明专利]一种化学电镀工艺前晶圆沟槽预处理的方法在审
| 申请号： | 201210349842.9 | 申请日： | 2012-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN103021933A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 戴文俊 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化学电镀工艺前晶圆沟槽预处理的方法，其包括在化学电镀工艺前，通过去离子水超声波震荡或冲刷晶圆沟槽，使其内充满去离子水。本发明在不改变现有化学电镀主要工艺的情况下，通过在主要工艺前增加一道工序，使去离子水浸润充满沟槽，在后续的电镀工艺中使电镀液可以快速与沟槽内的去离子水进行交换，从而避免因空气、气泡的表面张力引起的电镀液无法快速浸润而形成的孔洞，同时还能减少酸液对铜表面可能造成的腐蚀现象，增加了电镀工艺的良率与可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 电镀 工艺 前晶圆 沟槽 预处理 方法 | ||
【主权项】：
一种化学电镀工艺前晶圆沟槽预处理的方法，其特征在于：其包括在化学电镀工艺前，使晶圆沟槽内充满去离子水。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
