[发明专利]一种用于太阳能电池的链式扩散工艺有效
申请号: | 201210343340.5 | 申请日: | 2012-09-17 |
公开(公告)号: | CN102881767A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 李质磊;袁泽锐;林洪峰;张凤鸣;盛雯婷 | 申请(专利权)人: | 天威新能源控股有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B41M1/12;C30B31/06 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 廖曾 |
地址: | 610000 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于太阳能电池的链式扩散工艺,其利用在链式扩散后硅片的表面生长一层较厚的氧化层,再将氧化层清洗掉,利用该方法来去除扩散表面的高掺杂区,提高扩散后硅片的少子寿命;在高温下利用水蒸气与硅片扩散面进行反应,在短时间内快速生长出较厚的氧化层;最后去除氧化层。解决常规扩散工艺无法避免产生“死层”的现象,进一步减少表面浓度,提高少子寿命,提高电池的转化效率,降低太阳能电池的生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 太阳能电池 链式 扩散 工艺 | ||
【主权项】:
一种用于太阳能电池的链式扩散工艺,其特征在于:包括如下步骤:步骤A:采用丝网印刷磷浆工艺进行链式扩散或喷涂磷酸水溶液工艺进行链式扩散,在基体硅片(1)表面形成丝网印刷表层磷浆层(2); 步骤B:在步骤A后,进行高温链式扩散工艺处理,将丝网印刷表层磷浆层(2)转化,等形成的P原子扩散进入基体硅片表面形成N型层,同时基体硅片表面形成有杂质层,我们将N型层和杂质层总称为链式扩散后表层杂质分布层(3);步骤C:在步骤B后,对链式扩散后表层杂质分布层(3)的表面进行氧化处理,在链式扩散后表层杂质分布层(3)表面快速生长一层均匀分布的氧化层(4);步骤D:将步骤C中的氧化层(4)去除,形成去除氧化层后硅片表面杂质分布层(5)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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