[发明专利]一种利用回收提纯硅片锯屑粉制备氮化硅的方法无效
| 申请号： | 201210322467.9 | 申请日： | 2012-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102849695A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 周浪;尹传强;魏秀琴 | 申请（专利权）人： | 扬州市艾诺光伏材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068;B09B3/00 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 赵秀斌 |
| 地址： | 225816 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用回收提纯硅片锯屑粉制备氮化硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）将所述硅片锯屑粉放入容器内，再通入保护气体，在所述保护气体的保护下进行第一次升温，然后再进行第一次保温处理，得到粉体A；2）将粉体A在所述保护气体的保护下，进行第二次升温，然后再进行第二次保温处理，保温过程中并保持所述粉体A不断转动，然后进行冷却至室温，得到粉体B；3）将粉体B在所述保护气体的保护下，进行第三次升温，然后再进行第三次保温处理，然后进行冷却至室温，即得到所述氮化硅。本发明的方法可实现光伏行业产生的大量的硅片锯屑的合理回收利用，从而降低太阳能光伏发电成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 回收 提纯 硅片 锯屑 制备 氮化 方法 | ||
【主权项】：
一种利用回收提纯硅片锯屑粉制备氮化硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）将所述硅片锯屑粉放入容器内，再通入保护气体，在所述保护气体的保护下进行第一次升温，然后再进行第一次保温处理，得到粉体A；2）将步骤1）中得到的粉体A在所述保护气体的保护下，进行第二次升温，然后再进行第二次保温处理，保温过程中并保持所述粉体A不断转动，然后进行冷却至室温，得到粉体B；3）将步骤2）中得到的粉体B在所述保护气体的保护下，进行第三次升温，然后再进行第三次保温处理，然后进行冷却至室温，即得到所述氮化硅。
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