[发明专利]硅传感器压力芯片及其自停止腐蚀工艺无效
| 申请号： | 201210314594.4 | 申请日： | 2012-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102818662A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 朱荣惠;郝晓卿 | 申请（专利权）人： | 无锡永阳电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18 |
| 代理公司： | 宜兴市天宇知识产权事务所(普通合伙) 32208 | 代理人： | 蔡凤苞 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅传感器压力芯片及其自停止腐蚀工艺，包括硼硅玻璃基底、P型衬底、氧化层、压敏电阻、扩散电阻及氮化硅保护膜，所述P型衬底中设有腐蚀腔，其特征在于在所述P型衬底上生成有N型外延层，所述氧化层、压敏电阻、扩散电阻及氮化硅保护膜生成于所述N型外延层上。在本发明中，P型衬底生成有N型外延层，扩散电阻、压敏电阻及氮化硅保护膜生成于N型外延层上，当腐蚀液腐蚀到N型外延层时，腐蚀自动停止，这样可通过减小N型外延层的厚度来减小传感器压力芯片的膜片的厚度，从而大大的提高传感器压力芯片的灵敏度；另外，有轻掺杂的N型覆盖层覆盖在压敏电阻上，作为重掺杂层的保护层，增强传感器压力芯片的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 压力 芯片 及其 停止 腐蚀 工艺 | ||
【主权项】：
一种硅传感器压力芯片，包括硼硅玻璃基底、P型衬底、氧化层、压敏电阻、扩散电阻及氮化硅保护膜，所述P型衬底中设有腐蚀腔，其特征在于：在所述P型衬底上生成有N型外延层，所述氧化层、压敏电阻、扩散电阻及氮化硅保护膜生成于所述N型外延层上。
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