[发明专利]一种具有自整流特性的阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201210311109.8 | 申请日： | 2012-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN103633242A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 吕杭炳;刘明;刘琦;李颖弢;龙世兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 发明公开了一种具有自整流特性的阻变存储器及其制备方法，属于微电子制造及存储器技术领域。所述自整流特性阻变存储器包括上电极、下电极、阻变材料层以及非晶硅层，具有双极型转变特性，同时在低阻态呈现出正负不对称的整流特性。本发明基于自整流特性阻变存储器作为存储单元，可以不依赖选通晶体管以及二极管，依靠其自身的整流特性实现自我选择功能，结构简单、易集成、密度高、成本低，能够抑制交叉阵列结构中的读串扰现象。本发明基于阻变存储器的一次编程存储器能够采用交叉阵列结构集成，制备温度低，可以实现高密度的三维堆叠结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 整流 特性 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种自整流阻变存储器，其特征在于，该自整流阻变存储器自下至上依次包括下电极、非晶硅层、阻变材料层和上电极，该阻变存储器件具有电阻转变功能，同时具有自整流特性。
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