[发明专利]寄生电容的测量方法以及栅介质层厚度的计算方法有效
| 申请号： | 201210304221.9 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN102854398A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 韦敏侠 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/26 | 分类号： | G01R27/26;G01R7/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种寄生电容的测量方法，包括：提供被测半导体结构；调节所述被测半导体结构的测试条件，使所述被测半导体结构的沟道区处于反型区，分别测量所述半导体衬底与栅极结构之间的第一寄生电容，以及所述半导体衬底与栅电极层之间的第二电容；利用所述第一寄生电容和第二寄生电容，计算所述半导体衬底与栅极金属插塞之间的第三寄生电容。利用本发明所提供的测量方法，只需一个被测半导体结构，即可测量得到所述半导体结构的各项寄生电容值，相较于现有技术中的测量方法，降低了对版图尺寸的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 寄生 电容 测量方法 以及 介质 厚度 计算方法 | ||
【主权项】：
一种寄生电容的测量方法，其特征在于，包括：提供被测半导体结构，所述被测半导体结构包括：半导体衬底，与所述半导体衬底相连的衬底金属插塞；位于所述半导体衬底表面的栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层与位于所述栅介质层表面的栅电极层，以及与所述栅电极层相连的栅极金属插塞；位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的源、漏区，以及分别与所述源、漏区相连的源区金属插塞和漏区金属插塞；覆盖所述栅极结构和半导体衬底的绝缘层；还包括：调节所述被测半导体结构的测试条件，使所述被测半导体结构的沟道区处于反型区，分别测量所述半导体衬底与栅极结构之间的第一寄生电容，以及所述半导体衬底与栅电极层之间的第二电容；利用所述第一寄生电容和第二寄生电容，计算所述半导体衬底与栅极金属插塞之间的第三寄生电容。
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