[发明专利]具有低电偏移的磁传感器有效

专利信息
申请号: 201210300716.4 申请日: 2012-08-22
公开(公告)号: CN102954808A 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: 法比奥·塞巴斯蒂亚诺;罗伯特·亨里克斯·玛格丽塔·范费尔德温 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: G01D5/12 分类号: G01D5/12
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 蔡纯
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 公开了低偏移、高灵敏度磁传感器装置及其方法和磁检测系统,该磁检测系统包括:靠近可移动机械元件的磁性元件;以及磁传感器,该磁传感器被配置为基于由磁性元件产生的磁场确定机械元件的运动。该磁传感器包括:低偏移磁检测元件;高灵敏度磁检测元件;以及偏移补偿电路,该偏移补偿电路被配置为:根据低偏移磁检测元件的输出确定感测场的过零点;在过零点处对高灵敏度磁检测元件的偏移值进行采样;以及从高灵敏度磁检测元件的输出中减去偏移值。
搜索关键词: 具有 偏移 传感器
【主权项】:
一种低偏移、高灵敏度磁传感器装置,包括:低偏移磁传感器;高灵敏度磁传感器;和偏移补偿电路,该偏移补偿电路被配置为:根据低偏移磁传感器的输出确定感测场的过零点;在过零点处对高灵敏度磁传感器的偏移值进行采样;以及从高灵敏度磁传感器的输出中减去偏移值。
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