[发明专利]图案化工艺

摘要

本发明提供一种图案化工艺，包括在一待定义层上形成一具有多个第一开口部的第一掩模层。在第一掩模层上及第一开口部内顺应性形成一第二掩模层。对第二掩模层实施一斜角离子注入，以在第二掩模层形成多个掺杂区域及多个未掺杂区域。蚀刻去除未掺杂区域，以形成多个第二开口部，其中第二开口部小于第一开口部的底部面积。随后，蚀刻第二开口部下方的待定义层。本发明所提供的图案化工艺具有较大的工艺弹性。此外，本发明所提供的工艺可与现行工艺相容，且可在无须使用电子束直写、软X射线、极紫外光等方法的条件下制作出小于关键尺寸的图案，故可节省时间及生产成本，也可避免光学效应不理想的问题。

主权项

一种图案化工艺，其特征在于，包括：在一待定义层上形成一第一掩模层，该第一掩模层具有多个第一开口部；在该第一掩模层上及所述多个第一开口部内顺应性形成一第二掩模层；对该第二掩模层实施一斜角离子注入，以在该第二掩模层形成多个掺杂区域及多个未掺杂区域，所述多个未掺杂区域分别位于所述多个第一开口部上方，且每一未掺杂区域小于每一第一开口部的底部面积；蚀刻去除所述第二掩模层的未掺杂区域，以在该第二掩模层内形成多个第二开口部，其中每一第二开口部小于每一第一开口部的底部面积；以及蚀刻所述多个第二开口部下方的该待定义层。