[发明专利]发光二极管芯片的温度测量方法及使用的热敏高分子材料

摘要

一种发光二极管芯片的温度测量方法，包括以下步骤：提供高分子材料，该高分子材料包括支撑体和分散于该支撑体中的荧光分子、交联剂、负离子基团及水分子，该荧光分子包覆于支撑体内，该荧光分子随外部环境温度的变化而变化；用不同波长的光源激发高分子材料并采集高分子材料在不同温度条件下的荧光光强值，得到光源波长、该高分子材料温度及荧光光强值的关系数据库；提供已固晶打线的发光二极管封装结构，将高分子材料置于待测发光二极管芯片上并通电，测量该热高分子材料的荧光光强并与数据库对比得到发光二极管芯片温度。本发明还涉及一种热敏高分子材料。在本发明中利用荧光分子的荧光光强与温度的变化关系来测量发光二极管芯片温度。

主权项

1.一种发光二极管芯片的温度测量方法，包括以下步骤：提供热敏高分子材料，该热敏高分子材料包括热敏性高分子支撑体和分散于该热敏性高分子支撑体中的荧光分子、交联剂、负离子基团及水分子，其中该热敏性高分子支撑体的结构为，其中R为碳原子数为3的饱和烷基，该荧光分子的结构为，其中x为1或2，该荧光分子包覆于该热敏性高分子支撑体内，当外部环境温度升高时，该热敏性高分子支撑体随之逐渐皱缩，进而引起包覆于该热敏性高分子内的该荧光分子的荧光光强逐渐增强，当外部环境温度降低时，该热敏性高分子支撑体随之逐渐膨胀，进而引起包覆于该热敏性高分子内的该荧光分子的荧光光强随之逐渐减弱，该负离子基团阻止该荧光分子与该热敏性高分子支撑体发生交联，该交联剂促进该热敏性高分子支撑体的交联；用一定波长的光源激发所述热敏高分子材料，并采集该热敏高分子材料在该波长的光源、不同温度条件下的荧光光强值，再变换光源的波长值，重复采集该热敏高分子材料在不同温度条件下的荧光光强值，从而得到光源的波长、该热敏高分子材料的温度及荧光光强值三者之间的对应函数关系数据库；提供已固晶打线的发光二极管封装结构，将所述热敏高分子材料置于待测发光二极管芯片上，使该待测发光二极管芯片通电发光，用光谱议测量该热敏高分子材料的荧光光强，将该荧光光强值及待测发光二极管芯片发出的光线的波长与所述数据库中对应的荧光光强值及波长匹配，从而得到待测发光二极管芯片的温度。