[发明专利]光电转换装置的制造方法

摘要

本发明涉及一种光电转换装置的制造方法。提供形成限定半导体晶片上的活性区域的隔离区域的处理、在由隔离区域限定的活性区域中形成光电转换元件的处理、以及在光电转换元件上形成微透镜的处理。通过使用在形成隔离区域的处理中形成的对准标记，执行形成光电转换元件的处理中的对准和形成微透镜的处理中的对准。

主权项

一种光电转换装置的制造方法，包括以下的处理：形成隔离区域，所述隔离区域限定半导体晶片上的活性区域；在由所述隔离区域限定的活性区域中形成光电转换元件和晶体管；在所述半导体晶片上形成N个金属层，这里，N≥2；以及在所述光电转换元件上形成微透镜，形成所述晶体管的处理包括形成所述晶体管的栅电极的处理，以及形成N个金属层的处理包括：形成要与半导体晶片上的所述晶体管连接的第一金属层的处理、以及形成将最接近所述微透镜的第N个金属层的处理，其中，通过使用在形成隔离区域的处理中形成的对准标记，执行形成光电转换元件的处理中的对准和形成微透镜的处理中的对准，其中，通过使用在形成晶体管的栅电极的处理中形成的对准标记，执行形成第一金属层的处理中的对准，以及其中，所述微透镜被形成在所述半导体晶片的与所述晶体管相同的一侧。