[发明专利]阵列型多层化陶瓷电子组件有效
| 申请号： | 201210267241.3 | 申请日： | 2012-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN103247440A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 丁海硕;李炳华;朴珉哲;蔡恩赫 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/005 | 分类号： | H01G4/005;H01G4/30 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 陈潇潇;南毅宁 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种阵列型多层化陶瓷电子组件，包括：陶瓷主体；形成在所述陶瓷主体的一个表面上以及所述陶瓷主体的与所述一个表面相对立的另一表面上的多个外部电极；形成在所述陶瓷主体中并分别连接到所述外部电极的多个内部电极多层化部分，其中当内部电极多层化部分之间的间隔为G且内部电极密度为D时，40%≤D≤57%，10μm≤G≤200μm且G≥（0.0577×D2）－（4.4668×D）＋111.22时，因此，可以避免分层与破裂。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 多层 陶瓷 电子 组件 | ||
【主权项】：
一种阵列型多层化陶瓷电子组件，该阵列型多层化陶瓷电子组件包括：陶瓷主体；形成在所述陶瓷主体的一个表面上以及所述陶瓷主体的与所述一个表面相对立的另一表面上的多个外部电极；以及形成在所述陶瓷主体内并分别连接到所述外部电极的多个内部电极多层化部分；当所述内部电极多层化部分之间的间隔为G且内部电极的密度为D时，满足40%≤D≤57%、10μm≤G≤200μm且G≥（0.0577×D2）－（4.4668×D）＋111.22的条件。
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