[发明专利]多晶硅生长装置无效
| 申请号： | 201210267188.7 | 申请日： | 2012-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103570022A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 李昶徕;金升铉;姜承吾;朴奎东;朴健 | 申请（专利权）人： | 半材料株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035;C30B28/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 韩国京畿道诚南市盆唐区三*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种为了改善能源效率并减少污染而利用过热蒸气或经加热的非活性气体的多晶硅生长装置。本发明提供一种多晶硅生长装置，其包括：钟形（bell-jar）反应部，具有供应原料气体的气体投入口及排出废气的气体排出口，以在内部腔室形成多晶硅的生长环境；电极部，其包括导入电流的第一电极和从第一电极分隔配置并通电的第二电极；硅芯棒部，其两端部连接第一电极和第二电极之间，通电时，该硅芯棒部因电阻加热而升温；以及过热蒸气型加热部，其产生过热蒸气而供应到钟形反应部的内部，来加热硅芯棒部。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 生长 装置 | ||
【主权项】：
一种多晶硅生长装置，其特征在于，包括：钟形反应部，具有供应原料气体的气体投入口及排出废气的气体排出口，以在内部腔室形成多晶硅的生长环境；电极部，其包括导入电流的第一电极和从上述第一电极分隔配置并通电的第二电极；硅芯棒部，其两端部连接上述第一电极和上述第二电极之间，通电时，该硅芯棒部因电阻加热而升温；以及过热蒸气型加热部，其产生过热蒸气而供应到上述钟形反应部的内部，来加热上述硅芯棒部。
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